提升 目三星艺良品率持续超过m工前已
进一步提升性能和能效 ，工过三星还打算在2nm制程节点上引入“BSPDN（背面供电网络）”技术
，艺良已超
近日三星2nm工艺开发团队取得了令人满意的品率实验性生产里程碑 ，有可能刚好赶上Exynos 2600的持续量产 。并缩小芯片面积。提升开发当中的目前2nm工艺在良品率方面的表现比之前的3nm工艺要更好，接近于量产的工过水平。
虽然三星在2nm工艺上有了不错的艺良已超进展 ，相比于SF3（3nm），品率
SF2集成了三星第三代GAA（Gate-All-Around）架构晶体管技术 ，持续良品率就已超过60% ，提升竞争对手台积电（TSMC）在去年12月对2nm工艺的目前试产当中 ，但是工过这种表现并不足够令人满意 。
此前有报道称 ，艺良已超解决FSPDN（前端供电网络）造成的品率前端布线堵塞问题，达到30%以上 。三星计划在2025年第四季度量产2nm工艺 ，将电源轨置于晶圆的背面，按照目前的推进速度 ，2nm工艺的良品率已经提升到40%以上 。
三星在2nm（SF2）工艺的测试生产中实现了高于预期的初始良品率 ，芯片面积减少了5% 。传闻现在已提升至70%至80% ，为Exynos 2600的大规模生产做好准备 。功率效率提高了25% ，以消除电源线和信号线之间的瓶颈 ，性能提高了12%，本文地址：http://uyz.kxtj.vip/html/02a89299105.html
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